Anwendungen
• Ersetzung der parallelen Entwicklung
Anwendungen
• Ersetzung der parallelen Entwicklung
Merkmale
• Defense-AnwendungenStandard-MLCC
• Erweiterter Bereich
• Äquivalent zu Wettbewerbsdesigns
• Niedrige ESR, ESL
Merkmale
• Defense-AnwendungenStandard-MLCC
• Erweiterter Bereich
• Äquivalent zu Wettbewerbsdesigns
• Niedrige ESR, ESL
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN :
bei + 25 °C, sofern nicht anders angegeben
BETRIEBSTEMPERATUR :
NPO, X7R : - 55 °C, + 125 °C
X5R : - 55 °C, + 85 °C
TEMPERATURKOEFFIZIENT :
NP0 : ± 30 ppm
X7R, X5R : ± 15 % bei 0 Vdc
Alterungsrate :
X7R, X5R : 2 % pro Dekade
VERLUSTFAKTOR :
NP0 : ≤ 1·10⁻³ bei 1 Vrms und 1 MHz für Werte ≤ 1000 pF
≤ 1·10⁻³ bei 1 Vrms und 1 kHz für Werte > 1000 pF
X7R : ≤ 0,025 bei 1 kHz
X5R : ≤ 0,10 bei 1 kHz
ISOLATIONSWIDERSTAND (IR) :
25 °C/Un 10⁵ MOhm oder 1000 Ohm-Farad, je nachdem, welcher Wert kleiner ist
125 °C/Un 10⁴ MOhm oder 100 Ohm-Farad, je nachdem, welcher Wert kleiner ist
SPANNUNGSFESTIGKEIT :
2,5 Un bei U ≤ 200 V | U+250 V bei 200 < U ≤ 500 | 1,5 U bei 500 < U < 1000 | 1,2 U bei U ≥ 1000
5 s bei max. 50 mA Ladestrom
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN :
bei + 25 °C, sofern nicht anders angegeben
BETRIEBSTEMPERATUR :
NPO, X7R : - 55 °C, + 125 °C
X5R : - 55 °C, + 85 °C
TEMPERATURKOEFFIZIENT :
NP0 : ± 30 ppm
X7R, X5R : ± 15 % bei 0 Vdc
Alterungsrate:
X7R, X5R : 2 % pro Dekade
VERLUSTFAKTOR :
NP0 : ≤ 1·10⁻³ bei 1 Vrms und 1 MHz für Werte ≤ 1000 pF
≤ 1·10⁻³ bei 1 Vrms und 1 kHz für Werte > 1000 pF
X7R : ≤ 0,025 bei 1 kHz
X5R : ≤ 0,10 bei 1 kHz
ISOLATIONSWIDERSTAND (IR) :
25 °C/Un 10⁵ MOhm oder 1000 Ohm-Farad, je nachdem, welcher Wert kleiner ist
125 °C/Un 10⁴ MOhm oder 100 Ohm-Farad, je nachdem, welcher Wert kleiner ist
SPANNUNGSFESTIGKEIT :
2,5 Un bei U ≤ 200 V | U+250 V bei 200 < U ≤ 500 | 1,5 U bei 500 < U < 1000 | 1,2 U bei U ≥ 1000
5 s bei max. 50 mA Ladestrom
Weitere Informationen finden Sie im Datenblatt.
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Elektrische Parameter
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Münchener Straße 6D
82024 Taufkirchen
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